Infineon FF650R17IE4P

Avaliado como 4.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de frequência industrial.

SKU: FF650R17IE4P Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de frequência industrial.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 650 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de roda livre Emitter Controlled Diode 4
Package EconoDUAL™ 3
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.0 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 1300 A
Temperatura de operação -40 °C a +175 °C
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.04 K/W
Número de chaves 6
Aplicações Inversores de frequência, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores

FAQ

Qual a tensão suportada pelo módulo FF650R17IE4P?

O módulo FF650R17IE4P suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1700 V.

Quais as aplicações típicas do módulo FF650R17IE4P?

O módulo FF650R17IE4P é projetado para aplicações como inversores de frequência, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores.

Qual a temperatura de operação do módulo FF650R17IE4P?

O módulo FF650R17IE4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +175 °C.

Entre em Contato

Carrinho de compras