Infineon FF450R17ME4P_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão nominal do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente nominal do coletor (Ic) 450 A
Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) 900 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico)
Resistência térmica junção a-caixa (RthJC): 0.05 K/W
Tensão de isolamento (Viso) 3000 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4
  • Diodo de freio integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e comutação
  • Montagem em parafuso

FAQ

Qual a tensão nominal de isolamento do módulo FF450R17ME4P_B11?

A tensão de isolamento (Viso) do módulo é de 3000 Vrms.

Quais as temperaturas de operação do módulo FF450R17ME4P_B11?

A faixa de temperatura de operação do módulo é de -40 °C a +125 °C.

Qual a tecnologia IGBT utilizada no módulo FF450R17ME4P_B11 e ele possui diodo de freio integrado?

O FF450R17ME4P_B11 utiliza a tecnologia IGBT 4 e possui um diodo de freio integrado (Fast Diode).

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