Infineon FF1800XTR17T2P5P

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Módulo de potência IGBT de alta performance para aplicações de energia, com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT5 e diodo Emitter Controlled 5.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta performance para aplicações de energia, com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT5 e diodo Emitter Controlled 5.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1700 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 1800 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT5
Diodo Emitter Controlled 5
Package Module
Configuração 2x PTC (Positive Temperature Coefficient) switches
Tensão de saturação do coletor emissor (Vcesat): 2.5 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Temperatura de operação -40°C a +150°C
Aplicações Inversores de alta potência, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do Infineon FF1800XTR17T2P5P?

A tensão de coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.

Quais as temperaturas de operação do FF1800XTR17T2P5P?

O módulo de potência FF1800XTR17T2P5P opera em temperaturas de -40°C a +150°C.

Quais as aplicações típicas do FF1800XTR17T2P5P?

O FF1800XTR17T2P5P é utilizado em inversores de alta potência, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais.

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