Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 10 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo IGBT FF225R17ME4P_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
A faixa de temperatura de operação do FF225R17ME4P_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de corrente e encapsulamento deste módulo?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 225 A e o encapsulamento é EconoDUAL™ 3.