Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 1800 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 3600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.5 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Temperatura de operação da junção (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
Recursos
- Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Construção robusta para aplicações industriais
FAQ
Qual a tensão nominal do Infineon FF1800XTR17T2P5?
A tensão nominal do coletor para o emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A temperatura de operação da junção (Tj) varia de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FF1800XTR17T2P5?
O módulo de potência IGBT FF1800XTR17T2P5 é projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável. Possui tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ 5, baixas perdas e alta densidade de potência, com construção robusta para aplicações industriais.