Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 200 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor máxima suportada pelo FF200R17KE4?
O FF200R17KE4 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF200R17KE4?
O FF200R17KE4 pode operar em uma faixa de temperatura (Tj) de -40 a +150 °C.
Quais são algumas das características principais do FF200R17KE4?
O FF200R17KE4 possui tecnologia IGBT 4, diodo de freewheeling integrado, baixas perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e isolamento galvânico.