Descrição
Transistor de potência IGBT de 1700V com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores e conversores de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 300 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 1200 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tecnologia | Trench Fieldstop IGBT 4 |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Corrente do Diodo (If) | 300 A |
| Tensão de Ruptura do Diodo (Vf) | 1.8 V (típico) |
| Package | TO-247-3 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, acionamentos de motores industriais, fontes de alimentação |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo transistor IGBT IFF300B17N2E4P_B11?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) é de 1700 V.
Em quais faixas de temperatura o IFF300B17N2E4P_B11 pode operar?
O IFF300B17N2E4P_B11 opera em temperaturas que variam de -40°C a +175°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do IFF300B17N2E4P_B11?
As aplicações típicas incluem inversores solares, sistemas de energia eólica, acionamentos de motores industriais e fontes de alimentação.