Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 650 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 1300 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)) a 650A: 1.8 V |
| Tensão de gate | emissor (Vge(th)) limiar: 5.5 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Número de chaves | 2 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal contínua do módulo FF650R17IE4?
A tensão nominal do FF650R17IE4 é de 1700 V. A corrente nominal contínua (Tc=100°C) é de 650 A.
Quais são as características de desempenho do IGBT usado no FF650R17IE4?
O FF650R17IE4 utiliza a tecnologia IGBT 4. Possui baixa tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.8 V a 650A e um diodo de roda livre integrado. A corrente nominal pulsada (Tp=1ms) é de 1300 A.
Quais as aplicações típicas e características de encapsulamento do FF650R17IE4?
O FF650R17IE4 é projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável. O módulo é do tipo Press-Pack, e possui uma resistência térmica junção-case (RthJC) de 0.03 K/W. O produto contém 2 chaves.