Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 225 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente nominal do gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.04 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FF225R17ME4P?
A faixa de temperatura de operação do FF225R17ME4P é de -40°C a +125°C.
Qual a tensão nominal do coletor-emissor (Vces) e corrente nominal contínua do coletor (Ic) do FF225R17ME4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 225 A.
Quais são algumas das características do FF225R17ME4P?
O FF225R17ME4P utiliza tecnologia IGBT 4, possui baixas perdas de condução e comutação, alta densidade de potência e isolamento galvânico integrado.