Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 650 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 1000 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, escuro) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF650R17IE4DP_B2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Quais as características de corrente do módulo de potência?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 650 A e a corrente de coletor pulsada (Ic, pulsado) é de 1000 A. A corrente de fuga do coletor (Ic, escuro) é de 2 mA.
Quais as principais características de temperatura e encapsulamento do FF650R17IE4DP_B2?
A temperatura de operação (Tj) varia de -40 a +150 °C. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.03 K/W. O módulo é encapsulado em um EconoDUAL™ 3.