Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 750 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1500 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | Press-Pack Smart |
| Número de chaves | 1 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FF750R17ME7D_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo de potência?
O módulo de potência FF750R17ME7D_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as características do pacote e da tecnologia do FF750R17ME7D_B11?
O FF750R17ME7D_B11 utiliza a tecnologia IGBT 7, possui package Press-Pack Smart, e oferece baixa perda de condução e comutação.