Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tensão nominal | 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 650 A |
| Corrente nominal pulsada (Tp=1ms) | 1300 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)) @ 1500A, Vge=15V: ≤ 2.1 V |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.028 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT4
- Isolamento galvânico
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal contínua do FF650R17IE4D_B2?
A tensão nominal do FF650R17IE4D_B2 é 1700 V. Sua corrente nominal contínua (Tc=100°C) é 650 A.
Qual a faixa de temperatura de operação e qual o package do FF650R17IE4D_B2?
A faixa de temperatura de operação do FF650R17IE4D_B2 é de -40°C a +125°C. O package utilizado é Press-Pack.
Quais as características do IGBT FF650R17IE4D_B2?
O FF650R17IE4D_B2 utiliza a tecnologia IGBT4, oferece isolamento galvânico, apresenta baixas perdas de condução e comutação, além de alta densidade de potência.