Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 750 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1500 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.03 K/W |
| Package | Press-Pack |
| Configuração | 1-half bridge |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal do FF750R17ME7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FF750R17ME7_B11?
A faixa de temperatura de operação do FF750R17ME7_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais são as principais características do FF750R17ME7_B11?
O FF750R17ME7_B11 utiliza a tecnologia IGBT 7, possui baixas perdas de condução e comutação, e oferece alta densidade de potência.