Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 1000 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Diodo de roda livre integrado | E4 |
| Configuração | Dupla Ponte Retificadora |
| Package | Module |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.02 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores industriais |
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente do IGBT FF1000R17IE4DP_B2?
O módulo IGBT FF1000R17IE4DP_B2 possui uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1700 V e uma corrente nominal do coletor (Ic) de 1000 A. A corrente pulsada do coletor (Ic, pulsado) é de 1200 A.
Quais as características térmicas e de operação do módulo?
O módulo FF1000R17IE4DP_B2 possui resistência térmica junção-caixa (RthJC) de 0.02 K/W e opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FF1000R17IE4DP_B2?
O módulo FF1000R17IE4DP_B2 é projetado para aplicações como inversores solares, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores industriais. Ele integra um diodo de roda livre E4 e utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 com configuração de dupla ponte retificadora.