Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia IGBT | TrenchField 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 1200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | Press-Pack |
| Configuração | 6-pack |
Recursos
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
- Robusto e confiável para aplicações industriais
FAQ
Qual a tecnologia IGBT utilizada no módulo Infineon DD1200S17H4_B2?
O módulo utiliza a tecnologia TrenchField 4.
Quais as temperaturas de operação do módulo DD1200S17H4_B2?
O módulo opera em temperaturas de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do módulo de potência DD1200S17H4_B2?
O módulo é projetado para aplicações de inversor solar e sistemas de energia renovável, oferecendo alta densidade de potência, além de ser robusto e confiável para aplicações industriais.