Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de energia industrial e automotiva.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 800 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 1600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.02 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Half-bridge |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FD800R17HP4-K_B2?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FD800R17HP4-K_B2 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características do FD800R17HP4-K_B2?
O módulo utiliza tecnologia IGBT 4, possui baixas perdas de condução e comutação, e oferece alta densidade de potência.