Descrição
Transistor IGBT de alta performance da família EasyPACK 1B, projetado para aplicações de inversores solares e sistemas de energia renovável.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField High Speed 4 (TrenchFS 4) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EasyPACK 1B |
| Número de transistores | 1 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia renovável, drives de motor |
Recursos
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FD650R17IE4?
A faixa de temperatura de operação do FD650R17IE4 é de -40 °C a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do FD650R17IE4?
O FD650R17IE4 é projetado para aplicações em inversores solares, sistemas de energia renovável e drives de motor.
Qual a tensão Gate-Emissor máxima suportada pelo FD650R17IE4?
A tensão Gate-Emissor (Vge) suportada pelo FD650R17IE4 é de ±20 V.