Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 25 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase inversor |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do Infineon F12-25R12KT4G?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do Infineon F12-25R12KT4G é de 1200 V.
Em qual faixa de temperatura o Infineon F12-25R12KT4G pode operar?
O Infineon F12-25R12KT4G pode operar em temperaturas de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do Infineon F12-25R12KT4G?
O Infineon F12-25R12KT4G é projetado para aplicações de inversor solar e UPS, e possui uma configuração de 3-fase inversor.