Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Tecnologia IGBT | Trench Fieldstop |
| Tipo de Diodo | Diiodo Rápido |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.25 K/W |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de Chaves | 2 |
| Configuração | Half-bridge |
FAQ
Qual a tensão máxima que o FS150R12KE3 pode suportar?
O módulo IGBT FS150R12KE3 da Infineon possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS150R12KE3?
O FS150R12KE3 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Em qual tipo de aplicação o FS150R12KE3 é tipicamente utilizado?
O FS150R12KE3 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, e possui configuração half-bridge com 2 chaves, sendo um módulo de potência IGBT de alta eficiência.