Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate (Vge(th)) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.06 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de freio rápido integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS200R12W3T7_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. A temperatura de operação varia de -40 °C a +125 °C.
Quais as aplicações típicas do FS200R12W3T7_B11?
O FS200R12W3T7_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS e acionamentos de motor.
Quais as principais características do FS200R12W3T7_B11?
O módulo de potência FS200R12W3T7_B11 utiliza tecnologia IGBT de alta performance, possui diodo de freio rápido integrado e apresenta baixas perdas de condução e chaveamento. Sua corrente nominal do coletor (Ic) é de 200 A, e a tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.8 V (típico). A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.06 K/W e o encapsulamento é EconoDUAL™ 3.