Módulo IGBT Infineon IFS200B12N3E4P_B37 – 1200V, 200A
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O IFS200B12N3E4P_B37 é um módulo IGBT trifásico de 1200V e 200A, ideal para aplicações de alta potência que exigem desempenho e confiabilidade excepcionais. Com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de emissor controlado, este módulo oferece excelente desempenho de comutação e baixa perda de potência.
Especificações Técnicas do IFS200B12N3E4P_B37:
- Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4
- Diodo de emissor controlado
- Tensão de bloqueio coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 200A
- Resistência de condução (VCE(sat)): 0.525mΩ
- Frequência de comutação: 20kHz
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 175°C
- Encapsulamento: EconoPACK™ 3
- Shunts de detecção de corrente: 0.525mΩ
- NTC para monitoramento de temperatura
- Material de interface térmica pré-aplicado
Características Principais:
O módulo IGBT Infineon IFS200B12N3E4P_B37 oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Alta eficiência energética
- Baixas perdas de comutação
- Excelente desempenho térmico
- Confiabilidade robusta
- Design compacto
Aplicações:
Este módulo IGBT é ideal para uma variedade de aplicações, como:
- Inversores de frequência
- Conversores de energia
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Sistemas de acionamento de motores
- Energia renovável (solar e eólica)
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