Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Iges): ±20 mA |
| Tensão de limiar da porta | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação | -40°C a 125°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS75R12KT3?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FS75R12KT3?
O FS75R12KT3 opera em temperaturas que variam de -40°C a 125°C.
Quais as principais características do FS75R12KT3?
O FS75R12KT3 possui tecnologia IGBT 3, diodo de roda livre integrado e baixas perdas de condução e comutação. É um módulo de potência com 6 componentes e corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A.