Infineon FS200R12KT4R_B11

Avaliado como 4.00 de 5, com baseado em 1 avaliação de cliente

Consulte as Condições de Fornecimento

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de frequência e energia renovável.

SKU: FS200R12KT4R_B11 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de frequência e energia renovável.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 200 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4
Diodo de roda livre CAL 4
Configuração Half Bridge
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (Vge(th)): 5.0 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 400 A
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.26 K/W
Tensão de isolamento (Viso) 2500 Vrms
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

FAQ

Qual a tensão máxima que o FS200R12KT4R_B11 pode suportar?

O módulo IGBT FS200R12KT4R_B11 possui uma tensão do coletor: emissor (Vces) de 1200 V e tensão de isolamento (Viso) de 2500 Vrms.

Qual a faixa de temperatura de operação do FS200R12KT4R_B11?

A faixa de temperatura de operação do FS200R12KT4R_B11 é de -40 °C a +125 °C.

Quais são as principais características de corrente e tecnologia do FS200R12KT4R_B11?

O FS200R12KT4R_B11 possui uma corrente contínua do coletor (Ic) de 200 A, corrente de pico do coletor (Icm) de 400 A, utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre CAL 4.

Entre em Contato

Carrinho de compras