Infineon FS100R12W2T7_B11

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 100 A
Tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT7
Diodo de roda livre SiC
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico)
Tensão de limiar do gate emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico)
Corrente de pico do coletor (Icm) 200 A
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.25 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Número de pinos 7
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +175 °C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

FAQ

Qual a tensão máxima suportada pelo IGBT FS100R12W2T7_B11?

A tensão coletor-emissor (Vces) suportada é de 1200 V.

Em quais faixas de temperatura o módulo FS100R12W2T7_B11 pode operar?

O módulo pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +175 °C.

Quais são algumas das aplicações típicas do FS100R12W2T7_B11?

Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterrupta) e acionamentos de motor.

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