Infineon FS150R12N2T7

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Módulo de potência IGBT de 1200V com corrente nominal de 150A, projetado para aplicações de alta eficiência em sistemas de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de 1200V com corrente nominal de 150A, projetado para aplicações de alta eficiência em sistemas de energia.

Especificações

Tensão Coletor Emissor (Vces): 1200 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) 150 A
Package EconoDUAL™ 3
Tensão de Gate Emissor (Vge): ±20 V
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Corrente de Gate (Ig) 100 nA
Temperatura de Operação -40°C a 150°C
Aplicações Inversores solares, UPS, acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência
  • Baixas perdas de condução e chaveamento
  • Isolamento galvânico integrado

FAQ

Qual a tensão de isolamento do módulo FS150R12N2T7?

O módulo FS150R12N2T7 possui isolamento galvânico integrado.

Quais as temperaturas de operação do FS150R12N2T7?

O FS150R12N2T7 opera em temperaturas que variam de -40°C a 150°C.

Quais são as aplicações típicas do módulo FS150R12N2T7?

O FS150R12N2T7 é utilizado em inversores solares, UPS e acionamentos de motor.

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