Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate | emissor (Ige): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 half-bridge |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Isolado
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS50R12KT4P_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do FS50R12KT4P_B11 é de -40 °C a +125 °C.
Quais as características do FS50R12KT4P_B11?
O FS50R12KT4P_B11 utiliza a tecnologia IGBT 4, é isolado e possui baixas perdas de condução e chaveamento.