Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 150 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freewheeling rápido (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do FS150R12KT3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FS150R12KT3 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FS150R12KT3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as características de isolamento e freewheeling do FS150R12KT3?
O FS150R12KT3 possui isolamento galvânico e um diodo de freewheeling rápido integrado.