Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-carcaça (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6 half-bridges |
| Temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e comutação
- Isolamento galvânico integrado
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS200R12KT4RP_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) do FS200R12KT4RP_B11 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FS200R12KT4RP_B11 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a +125 °C.
Qual o tipo de package e configuração do FS200R12KT4RP_B11?
O FS200R12KT4RP_B11 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e possui configuração de 6 half-bridges.