Infineon IFS100B12N3E4_B31 SKU IFS100B12N3E4_B31

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Transistor de potência IGBT de canal N, 1200V, 100A, com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores e fontes de alimentação.

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Descrição

Transistor de potência IGBT de canal N, 1200V, 100A, com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de alta eficiência em inversores e fontes de alimentação.

Especificações

Tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT 3
Tensão Coletor Emissor (Vces): 1200 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C 100 A
Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C 50 A
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)) a 100A, Vge=15V: Máx. 2.0 V
Corrente de Pico Coletor (Icm) 300 A
Tensão Gate Emissor (Vge): ±20 V
Diodo de Roda Livre Integrado Sim
Package TO-247-3
Temperatura de Operação -40°C a +175°C
Resistência Térmica (RthJC) 0.39 K/W
Aplicações Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motor.

FAQ

Qual a corrente contínua máxima que o transistor pode conduzir?

A corrente contínua de coletor (Ic) é de 100 A a 25°C e 50 A a 100°C.

Qual a faixa de temperatura de operação do componente?

O componente opera em temperaturas de -40°C a +175°C.

Quais são algumas aplicações típicas para este transistor IGBT?

Este transistor IGBT é comumente utilizado em inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motor.

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