Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™)
- Diodo de roda livre rápido (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FS50R12W2T7?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V e a corrente nominal do coletor (Ic) é de 50 A. A corrente nominal do coletor pulsada (Ic, pulsado) é de 100 A.
Quais as temperaturas de operação do módulo?
O FS50R12W2T7 opera em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas e qual a tecnologia do FS50R12W2T7?
As aplicações típicas incluem inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais. O módulo utiliza a tecnologia IGBT de 7ª geração (TRENCHSTOP™) e possui um diodo de roda livre rápido (Fast Diode).