Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsado) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 1 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Configuração | 2 half-bridges |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, controle de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS100R12N2T7_B15?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais aplicações o FS100R12N2T7_B15 é tipicamente utilizado?
O FS100R12N2T7_B15 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (fontes de alimentação ininterruptas) e controle de motores.
Quais são as características de encapsulamento e faixa de temperatura do FS100R12N2T7_B15?
O FS100R12N2T7_B15 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.