Infineon FS75R12KE3

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com 3 fases, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com 3 fases, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão do coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente contínua do coletor (Ic) 75 A
Tensão de saturação do coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 2.5 A
Package EconoDUAL™ 3
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +125 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta performance
  • Diodo de roda livre integrado
  • Configuração de 3 fases
  • Isolamento galvânico

FAQ

Qual a tensão máxima que o FS75R12KE3 pode suportar?

A tensão do coletor-emissor (Vces) máxima do FS75R12KE3 é de 1200 V.

Em qual faixa de temperatura o FS75R12KE3 pode operar?

O FS75R12KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.

Quais são as aplicações típicas do FS75R12KE3?

O FS75R12KE3 é projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação. Ele possui configuração de 3 fases e tecnologia IGBT de alta performance.

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