Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de comutação
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS50R12W2T4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FS50R12W2T4 opera em temperaturas de -40°C a 150°C.
Quais são as características principais do FS50R12W2T4?
O FS50R12W2T4 utiliza tecnologia IGBT 4, possui diodo de roda livre integrado e apresenta baixas perdas de comutação.