Infineon FS35R12W1T4

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Módulo IGBT Infineon FS35R12W1T4 – Alta Potência e Eficiência

Procurando um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? O Infineon FS35R12W1T4 é a solução ideal para você! Com tecnologia Trench/Fieldstop IGBT4 e diodo Emissor Controlado 4, este módulo oferece alta eficiência e confiabilidade para seus projetos.

Especificações Técnicas do FS35R12W1T4:

  • Tecnologia: Trench/Fieldstop IGBT4
  • Diodo: Emissor Controlado 4
  • Tensão coletor-emissor (VCE): 1200V
  • Corrente de coletor (IC): 35A
  • Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
  • Encapsulamento: EasyPACK 1B
  • Configuração: Sixpack
  • Inclui NTC para monitoramento de temperatura

Aplicações do Módulo IGBT Infineon:

O FS35R12W1T4 é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:

  • Inversores solares
  • Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
  • Condicionadores de energia
  • Sistemas de acionamento de motores
  • Soldagem
  • Aquecimento por indução

Benefícios do FS35R12W1T4:

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens, como:

  • Alta eficiência energética, reduzindo perdas e melhorando o desempenho geral do sistema.
  • Baixa indutância, proporcionando comutação rápida e reduzindo interferências eletromagnéticas.
  • Robustez e confiabilidade, garantindo operação estável em condições exigentes.
  • Facilidade de uso, graças ao encapsulamento EasyPACK.
  • Monitoramento de temperatura integrado, permitindo operação segura e confiável.

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Infineon FS35R12W1T4

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