Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
FAQ
Qual a tensão nominal e corrente nominal do FS100R12N2T4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, e a corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 100 A. A corrente nominal pulsada do coletor (Icm) é de 300 A.
Em quais faixas de temperatura o FS100R12N2T4 pode operar e quais suas aplicações?
O FS100R12N2T4 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C. É utilizado em aplicações como inversores solares, sistemas de energia eólica, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.
Quais são as principais características de encapsulamento e tecnologia do FS100R12N2T4?
O FS100R12N2T4 utiliza o package EconoDUAL™ 3 e a tecnologia IGBT 7. Possui 2 chaves e a resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.25 K/W.