Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | Press-fit |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FS200R12PT4?
O módulo IGBT FS200R12PT4 da Infineon suporta uma tensão nominal coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS200R12PT4?
O FS200R12PT4 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais as características do package e tecnologia do FS200R12PT4?
O FS200R12PT4 utiliza package press-fit e possui tecnologia IGBT 4.