Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal (Vces) | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal (Ic) | 200 A |
| Corrente de pulso (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação (Vce(sat)) | 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate (Vge) | ±20 V |
| Corrente de gate (Ige) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.15 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FS200R12N3T7?
A tensão nominal (Vces) do módulo de potência IGBT FS200R12N3T7 é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FS200R12N3T7?
O FS200R12N3T7 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 125 °C.
Quais são algumas das características do FS200R12N3T7?
O FS200R12N3T7 utiliza a tecnologia IGBT 4, possui baixas perdas de condução e chaveamento, e oferece isolamento galvânico. Ele vem no package EconoDUAL™ 3 e possui 2 chaves.