Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulse) | 150 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga do coletor (Ic, off) | 2 mA |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V |
| Corrente máxima do gate | emissor (Ig, max): ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FS75R12W2T4?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. O módulo opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de corrente e tecnologia do FS75R12W2T4?
A corrente nominal do coletor (Ic) é de 75 A, com capacidade de pulso de até 150 A. Ele utiliza tecnologia IGBT de 7ª geração e possui um diodo de freio integrado.
Quais as especificações do encapsulamento e qual o isolamento do FS75R12W2T4?
O módulo FS75R12W2T4 é fornecido no package EconoDUAL™ 3 e oferece isolamento galvânico. A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.35 K/W.