Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Corrente nominal pulsada do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa do diodo (Ir) | 10 mA |
| Tensão nominal do diodo (Vr) | 1200 V |
| Corrente nominal contínua do diodo (If) | 200 A |
| Corrente nominal pulsada do diodo (Ifm) | 400 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.2 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do Infineon FS200R12PT4P?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V. O diodo integrado também possui uma tensão nominal (Vr) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o FS200R12PT4P pode operar?
O módulo de potência Infineon FS200R12PT4P opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +125 °C.
Quais as principais características de corrente do FS200R12PT4P?
A corrente nominal contínua do coletor (Ic) é de 200 A, com uma corrente nominal pulsada do coletor (Icm) de 400 A. O diodo integrado possui corrente nominal contínua (If) de 200 A e corrente nominal pulsada (Ifm) de 400 A.