Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 900 A |
| Corrente nominal contínua do coletor (Ic,cont) | 600 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 100 mA |
| Package | Press-Pack |
| Configuração | 1-IGBT com diodo |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo freewheeling integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FZ900R12KP4?
O módulo IGBT FZ900R12KP4 da Infineon suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as temperaturas de operação do FZ900R12KP4?
O FZ900R12KP4 pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +125°C.
Quais são algumas das características do diodo freewheeling integrado no FZ900R12KP4?
O FZ900R12KP4 possui um diodo freewheeling integrado (Fast Diode). Além disso, o componente possui baixas perdas de condução e comutação e utiliza a tecnologia IGBT 4.