Descrição
Módulo de potência IGBT de 1200V com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre RCD, encapsulado em EconoPACK™ 3.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo de roda livre | RCD (Rapid Circuit Diodes) |
| Encapsulamento | EconoPACK™ 3 |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 70 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Número de pinos | 10 |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do módulo de potência Infineon FP35R12N2T7?
O módulo de potência Infineon FP35R12N2T7 é encapsulado em EconoPACK™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP35R12N2T7?
A temperatura de operação do FP35R12N2T7 varia de -40°C a 150°C.
Quais são as principais características elétricas do FP35R12N2T7?
O FP35R12N2T7 possui tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V, corrente nominal do coletor (Ic) de 35 A, tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de roda livre RCD.