Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField™ IGBT3 |
|---|---|
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente nominal do coletor contínua (Ic,cont) | 75 A a 100°C |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de porta | emissor (Ig): ±20 mA |
| Tensão de porta | emissor (Vge): ±20 V |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.33 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de semicondutores | 6 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim (Fast Diode) |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
FAQ
Qual a tensão nominal e a corrente nominal deste módulo IGBT?
O módulo Infineon FP75R12KE3 possui uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V e uma corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A.
Em quais faixas de temperatura este módulo IGBT pode operar?
A temperatura de operação da junção do FP75R12KE3 é de -40°C a +150°C. A corrente contínua de coletor (Ic,cont) de 75 A é garantida até 100°C.
Quais as aplicações típicas do FP75R12KE3 e qual o tipo de diodo de roda livre integrado?
As aplicações típicas do FP75R12KE3 incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor. Ele possui um diodo de roda livre integrado do tipo Fast Diode.