Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 50 A |
| Tensão de limiar do gate | emissor (VGE(th)): 5.5 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação chaveadas, controle de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de 7ª geração
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP50R12N2T7P_B11?
A tensão nominal do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência FP50R12N2T7P_B11?
O FP50R12N2T7P_B11 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação chaveadas e controle de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12N2T7P_B11 e qual a tecnologia usada?
A temperatura de operação do FP50R12N2T7P_B11 varia de -40°C a +150°C. Ele utiliza a tecnologia IGBT de 7ª geração e possui um diodo de freio integrado.