Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, 1200V, 150A, com diodo de freewheeling integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 150 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de Limiar (Vth) | 5.5 V (típico) |
| Corrente de Gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência Térmica Coletor | Case (Rthjc): 0.25 K/W |
| Tensão de Isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +125°C |
| Número de pinos | 7 |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta velocidade
- Diodo de freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão de isolamento do FP150R12KT4_B11?
O módulo de potência FP150R12KT4_B11 possui uma tensão de isolamento de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP150R12KT4_B11?
O FP150R12KT4_B11 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as características de corrente e tensão do FP150R12KT4_B11?
O FP150R12KT4_B11 é um módulo IGBT com tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V e corrente contínua de coletor (Ic) de 150 A. Apresenta tensão de saturação Coletor: Emissor (Vce(sat)) de 2.0 V (típico).