Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e controle de motor.
Especificações
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 50 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.5 K/W |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), controle de motores industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT 3ª Geração
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do FP50R12KE3?
O módulo de potência FP50R12KE3 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do FP50R12KE3?
O FP50R12KE3 é comumente utilizado em inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e controle de motores industriais.
Qual a tensão de coletor-emissor e a corrente contínua do FP50R12KE3?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do FP50R12KE3 é de 1200 V e a corrente contínua de coletor (Ic) é de 50 A.