Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de freio integrado, projetado para aplicações de inversor solar e UPS.
Especificações
| Tensão nominal do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 35 A |
| Corrente nominal do coletor (Ic, pulsada) | 70 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +125 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de freio integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e comutação
FAQ
Qual a tensão nominal suportada pelo FP35R12W2T4?
O módulo IGBT FP35R12W2T4 suporta uma tensão nominal do coletor-emissor (Vces) de 1200 V e possui uma tensão de isolamento de 2500 Vrms.
Em quais aplicações o FP35R12W2T4 é comumente utilizado?
O FP35R12W2T4 é projetado para aplicações como inversores solares, UPS (Uninterruptible Power Supplies) e fontes de alimentação.
Quais são as principais características de desempenho do FP35R12W2T4?
O FP35R12W2T4 possui tecnologia IGBT 4 com baixas perdas de condução e comutação, além de um diodo de freio integrado. Sua corrente nominal do coletor (Ic) é de 35 A (70A pulsada), e sua resistência térmica junção-caixa (RthJC) é de 0.5 K/W. A tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) é de 1.7 V (típico).