Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de frequência.
Especificações
| Tensão nominal | 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal contínua (Tc=100°C) | 100 A |
| Corrente nominal pulsada | 200 A |
| Tensão de saturação Vce(sat) (Tj=150°C, Ic=100A) | 1.8 V |
| Tensão de gate | emissor Vge(th) (Ic=0.4mA): 5.5 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.25 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão nominal de operação do FP100R12KT4?
O FP100R12KT4 possui uma tensão nominal de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O módulo FP100R12KT4 pode operar em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.
Quais as principais características do FP100R12KT4?
O FP100R12KT4 utiliza a tecnologia IGBT 4, possui diodo de roda livre integrado, isolamento galvânico e é um módulo 6-pack em um package EconoDUAL™ 3.