Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EconoDUAL™ 3, projetado para aplicações de inversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente nominal do coletor (Ic) | 75 A |
| Tecnologia IGBT | TrenchGate |
| Diodo de roda livre | NTC integrado |
| Configuração | 6 pacotes IGBT |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de limiar do gate | emissor (Vge(th)): 5.5 V (típico) |
| Corrente de fuga reversa (Ir) | 1 mA |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.32 K/W |
| Tensão de isolamento | 2500 Vrms |
FAQ
Qual a tensão de isolamento do Infineon FP75R12KT3?
A tensão de isolamento do módulo de potência FP75R12KT3 é de 2500 Vrms.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP75R12KT3?
O módulo FP75R12KT3 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do IGBT FP75R12KT3?
O FP75R12KT3 possui tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V, corrente nominal do coletor (Ic) de 75 A e tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.7 V (típico). A tecnologia IGBT utilizada é TrenchGate, com diodo de roda livre e NTC integrado.