Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo de recuperação rápida Emitter Controlled 4. Projetado para aplicações de inversores e conversores de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Corrente pulsada do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.75 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Tecnologia IGBT | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
| Diodo | Emitter Controlled 4 (EC4) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.32 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o módulo FP75R12N2T7P_B11 pode suportar?
A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do FP75R12N2T7P_B11?
O módulo FP75R12N2T7P_B11 pode operar em temperaturas de junção (Tj) entre -40 e +150 °C.
Quais as características do IGBT e do diodo no FP75R12N2T7P_B11?
O módulo utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 e um diodo Emitter Controlled 4 (EC4).