Descrição
Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 40 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 80 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40°C a +125°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância interna
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do FP40R12KT3G?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do FP40R12KT3G é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
O FP40R12KT3G opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +125°C.
Quais as aplicações típicas deste módulo?
O FP40R12KT3G é projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.